低压降肖特基二极管工艺－强元芯工程大揭密
摘要 : 低压降肖特基二极管工艺怎么样的呢？看看强元芯工程为您解读新型工艺。
低压降肖特基二极管
低压降肖特基二极管，历经五年开发，目前已拥有三代LOWVFSKY。该产品主要专注于对电源转换效率,而达到超低VF值特性和快速开关特性，能助您电源产品加强电源开关效率及节能的要求，MHCHXM对低压降肖特基二极管每一代都有着新突破的技术更新。
LowVFSKY(低压降肖特基二极管)平面MOS工艺分解(第二代)
低压降肖特基第二代，采用平面MOS工艺，将MOSFET制造工艺融入于肖特基芯片制程中，增加芯片晶胞结构的密度，从而克服传统肖特基在VF和IR在参数上的平衡问题，即保持了传统肖特基的优点，又解决了传统肖特基在漏电设计上做遇到的屏障。
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